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       在開始生產之前，裸晶圓在晶圓制造商處要檢驗合格合格，并在半導體工廠接收后再次要半導體檢測合格。只有無缺陷的晶圓才用于生產，它們的生產前缺陷圖允許制造商跟蹤可能導致芯片功能不佳的區域。裸晶片或非圖案化晶片也在經受被動或主動處理環境之前和之后被測量，以確定來自給定處理工具的粒子貢獻的基線。

       100納米以下的半導體檢測工具目前被用于制造環境中，以保障進入晶圓的質量，并用于大批量制造的工藝工具監控和鑒定。這些工具采用與設計用于大規模缺陷檢測的工具相同的基本操作原理，在這些應用中使用的系統中，晶片臺和光學部件的運動控制需要高度的精度和準確度。

       由于需要檢測工具來檢測和量化越來越小的顆粒，由于散射光信號的信噪比降低，表面微粗糙度等因素的影響開始影響小顆粒的可檢測性。非圖案化晶片的亞100納米檢測由于尺度問題而變得復雜，信噪比是確定檢測系統對晶片表面顆粒和其他缺陷檢測的關鍵參數。來自環境濕度等來源的表面化學污染也會導致信噪比下降。為了幫助抵消這種影響，用于亞100納米缺陷檢測的半導體檢測工具采用高度復雜的光學空間濾波、散射信號的偏振分析和專門的信號處理算法來檢測存在表面霧度的缺陷。